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性能提升10%?比亚迪电动车明年将可望搭载SiC第三代半导体材料!

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发表于 2021-2-8 09:21:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
  在日前於浙江省宁波市举行的新技术发表会上,比亚迪首度发表了影响电动车性能关键因素的「绝缘栅双极型晶体管」(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor),且应用IGBT 4.0技术,这项与动力电池电芯并称为电动车关键「双芯」的技术,不但可直接驱动系统交直流电转换,且因为占电动车整车成本达5%,更将决定未来电动车的最大输出功率与扭力表现。
  不过最令人惊讶的是,比亚迪在这场发表会上,同时宣布已经成功研发SiC MOSFET(汽车功率半导体),最快将於明年推出搭载SiC电控技术的电动车,这第三代半导体材料,将全面替代矽基IGBT,预计将让电动车整车性能表现提升10%。
  此外,比亚迪已经钜额投资这第三代半导体,除致力於降低制造成本,也将将整合材料(高纯碳化矽粉)、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业供应链,比亚迪表示,SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代杀手级应用,更将为新一代电动车在加速、续航等性能指标领先对手。
  根据统计资料显示,2015-2017年间比亚迪已经连续三年蝉联全球新能源汽车销量冠军,而今年年初更喊出年销20万辆的目标,累积1-10月份光新能源乘用车就已经卖出16.3万辆,此外在全球纯电大巴也依旧稳居销售与市占率冠军,且持续推动包括轻型商业车与各特种商业车的纯电动化进程。
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